삼성전자, 3배 빨라진 스마트폰 내장 메모리 양산

삼성전자가 역대 최고 속도의 스마트폰용 메모리 ‘512GB(기가바이트) eUFS 3.1(embedded Universal Flash Storage 3.1)’을 세계 최초로 본격 양산했다.

‘512GB eUFS 3.1’은 기존 512GB eUFS 3.0 보다 약 3배 빠른 연속 쓰기 속도(1,200MB/s)로 FHD(5.0GB 기준) 영화 1편을 약 4초만에 저장할 수 있다.

이는 SATA SSD를 탑재한 PC의 데이터 처리속도(540MB/s)보다 2배 이상, UHS-I 마이크로SD 카드 속도(90MB/s) 보다 10배 이상 빠르다.

* 연속 쓰기 속도 : 스토리지 메모리에 영화와 같은 데이터를 저장하는 속도(MB/s)

이번 제품의 연속 읽기 속도는 2,100MB/s, 임의 읽기와 임의 쓰기 속도는 각각 100,000 IOPS(Input/Output Operations Per Second), 70,000 IOPS로 기존 ‘eUFS 3.0’ 제품보다 성능을 향상했다.

* 연속 읽기 속도 : 스토리지 메모리에 이미 저장된 영화 등을 불러오는 속도(MB/s)

* 임의 읽기/쓰기 속도 : 스토리지 메모리와 기기간 초당 데이터 입출력 횟수(IOPS)

스마트폰에 ‘512GB eUFS 3.1’ 메모리를 탑재하면 8K 초고화질 영상이나 수백장의 고용량 사진도 빠르게 저장할 수 있어 소비자가 울트라 슬림 노트북 수준의 편의성을 체감할 수 있다.

또한 100GB의 데이터를 새 스마트폰으로 옮길 때 기존 eUFS 3.0 메모리 탑재폰은 4분 이상 시간이 걸렸지만, eUFS 3.1 탑재폰은 약 1분 30초면 충분하다.

삼성전자는 512GB, 256GB, 128GB 세가지 용량으로 구성된 ‘eUFS 3.1’ 제품 라인업으로 올해 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 “메모리 카드의 성능 한계를 뛰어넘은 eUFS 3.1을 본격 양산함으로써 소비자들이 스마트폰에서 데이터를 저장할 때 느꼈던 답답함을 말끔하게 해결했다”며, “올해 모바일 제조사들이 요구하는 물량을 안정적으로 공급할 수 있도록 모든 준비를 해 나갈 것”이라고 밝혔다.

한편 삼성전자는 평택캠퍼스 P1 라인에서 생산중인 5세대 V낸드를 6세대 V낸드로 본격 전환하고, 최근 첫 제품 출하식을 가진 중국 시안(西安) 신규 2라인(X2)에서도 5세대 V낸드 양산을 시작해 플래그십 스마트폰에서 하이엔드 스마트폰 시장까지 본격 공략할 계획이다.

출처: 삼성전자 ( https://news.samsung.com/kr/%ec%82%bc%ec%84%b1%ec%a0%84%ec%9e%90-3%eb%b0%b0-%eb%b9%a8%eb%9d%bc%ec%a7%84-%ec%8a%a4%eb%a7%88%ed%8a%b8%ed%8f%b0-%eb%82%b4%ec%9e%a5-%eb%a9%94%eb%aa%a8%eb%a6%ac-%ec%96%91%ec%82%b0 )